Intel анонсировала продукты на базе 3D XPoint : IDF 2015
3D XPoint — совместная разработка Intel и Micron — представляет собой энергонезавиcимую память, по принципу действия совершенно отличную от преобладающей сегодня NAND Flash-памяти. В то время как NAND Flash для хранения информации использует электроны, захваченные в затворе транзистора, ячейка 3D XPoint меняет сопротивление для различения между нулем и единицей.
Благодаря тому, что ячейка не содержит транзистора, плотность хранения данных в памяти нового типа в 10 раз превышает соответствующий показатель NAND Flash. Доступ к индивидуальной ячейке обеспечивает сочетание определенных напряжений на пересекающихся линиях проводников (отсюда название XPoint, которое произносится как cross-point). Ячейки в кристалле памяти расположены в несколько слоев (в текущем варианте только два), потому в имени технологии присутствует аббревиатура 3D.
В теории память 3D XPoint может достигнуть в 1000 раз большей пропускной способности по сравнению с NAND Flash. Это все ещё меньше, чем то, на что способна память DDR4 SDRAM, но вполне приемлемо для того, чтобы использовать 3D XPoint в модулях оперативной памяти. Модули DIMM на основе 3D XPoint обеспечат больший объём и низкие цены относительно DDR4 DIMM.
В 2016 году Intel представит широкую линейку устройств на базе памяти нового типа под торговой маркой Optane. Это будут SSD для шины PCIe различного форм-фактора — карты расширения, 2,5-дюймовые накопители с разъемом U.2, компактные планки для ноутбуков (M.2). Чипы памяти будет производить компания Micron по норме 20 нм.
На выступлении генерального директора Intel — Брайана Кржанича (Brian Krzanich) нам продемонстрировали рабочий прототип Optane в виде карты расширения PCIe. По количеству операций в секунду устройство в 5–7 раз превосходит накопитель корпоративного класса Intel SSD DC P3700. Столь высокая производительность сохраняется даже при длине очереди команд в единицу. Кроме того, 3D XPoint обладает более симметричной производительность при чтении и записи благодаря тому, что операции обоих типов выполняются в блоках, соответствующих ширине шины памяти — в отличие от памяти NAND Flash, которая подразумевает запись крупными «страницами» (вплоть до 16 Кбайт).
Помимо устройств ПЗУ, в линейку Optane войдут модули DIMM для серверов на платформе Xeon. Последние будут полностью совместимы с интерфейсом DDR4 SDRAM вплоть до того, что планки обоих типов можно будет совместно использовать в одной системе.
Благодаря тому, что ячейка не содержит транзистора, плотность хранения данных в памяти нового типа в 10 раз превышает соответствующий показатель NAND Flash. Доступ к индивидуальной ячейке обеспечивает сочетание определенных напряжений на пересекающихся линиях проводников (отсюда название XPoint, которое произносится как cross-point). Ячейки в кристалле памяти расположены в несколько слоев (в текущем варианте только два), потому в имени технологии присутствует аббревиатура 3D.
В теории память 3D XPoint может достигнуть в 1000 раз большей пропускной способности по сравнению с NAND Flash. Это все ещё меньше, чем то, на что способна память DDR4 SDRAM, но вполне приемлемо для того, чтобы использовать 3D XPoint в модулях оперативной памяти. Модули DIMM на основе 3D XPoint обеспечат больший объём и низкие цены относительно DDR4 DIMM.
В 2016 году Intel представит широкую линейку устройств на базе памяти нового типа под торговой маркой Optane. Это будут SSD для шины PCIe различного форм-фактора — карты расширения, 2,5-дюймовые накопители с разъемом U.2, компактные планки для ноутбуков (M.2). Чипы памяти будет производить компания Micron по норме 20 нм.
На выступлении генерального директора Intel — Брайана Кржанича (Brian Krzanich) нам продемонстрировали рабочий прототип Optane в виде карты расширения PCIe. По количеству операций в секунду устройство в 5–7 раз превосходит накопитель корпоративного класса Intel SSD DC P3700. Столь высокая производительность сохраняется даже при длине очереди команд в единицу. Кроме того, 3D XPoint обладает более симметричной производительность при чтении и записи благодаря тому, что операции обоих типов выполняются в блоках, соответствующих ширине шины памяти — в отличие от памяти NAND Flash, которая подразумевает запись крупными «страницами» (вплоть до 16 Кбайт).
Помимо устройств ПЗУ, в линейку Optane войдут модули DIMM для серверов на платформе Xeon. Последние будут полностью совместимы с интерфейсом DDR4 SDRAM вплоть до того, что планки обоих типов можно будет совместно использовать в одной системе.
0 комментариев