Оперативную память ждет 15-кратное ускорение
В компании Micron Technology готовятся начать серийный выпуск модулей Hybrid Memory Cube. Компания Micron Technology планирует в начале следующего года приступить к поставкам модулей Hybrid Memory Cube, способных встряхнуть отрасль оперативной памяти, радикальных усовершенствований которой не было уже несколько десятков лет.
Технология HMC, впервые анонсированная в 2011 году, обеспечит существенное повышение быстродействия и энергоэффективности памяти, потребность в чем назрела уже давно. Первые модули НМС появятся в серверах и суперкомпьютерных системах, сообщил Майк Блэк, директор Micron по технологической стратегии. В дальнейшем, по его словам, возможно появление НМС для ноутбуков.
«НМС прекрасно подойдет для любых систем, которым пропускной способности DDR не хватает,—заявил он. В первую очередь НМС позволит повысить быстродействие суперкомпьютеров, облачных вычислений и базданных с обработкой в памяти».
НМС обеспечивает в 15 раз более высокую пропускную способность, чем динамическая оперативная память DDR3, и потребляет при этом на 70% меньше электроэнергии. А в сравнении со стандартом DDR4, переход на который сейчас происходит, пропускная способность НМС в пять раз больше, а расход энергии намного меньше.
Чипы НМС размещаются в модулях кубической формы. Кристаллы соединены друг с другом через сквозные отверстия по методу through silicon VIA, который дает преимущества в быстродействии по сравнению с обычной DRAM.
Материнские платы будут поставляться с уже впаянными модулями НМС, размещаемыми рядом с центральным процессором или другими чипами, объяснил Блэк.
«Конструкция модулей DIMM для НМС не подходит»,— подчеркнул он.
Модули НМС емкостью по 4 Гбайт и 8 Гбайт уже поставляются производителям серверов и микросхем для тестирования. По словам Блэка, первые модули НМС будут использоваться в программируемых логических матрицах (FPGA); кроме того, в Intel готовят чипсеты с НМС и новой моделью ускорителя Xeon Phi под кодовым именем Knights Landing.
Память НМС, благодаря своему быстродействию предпочтительная для суперкомпьютерных применений, в таком чипсете тесно интегрируется с Knights Landing. Процессор также сопровождается работающей в режиме временного кэша более медленной памятью DDR4, которую можно использовать для выполнения обычного кода.
Память НМС, как и DDR, является энергозависимой. Но, по словам Блэка, у НМС больше механизмов коррекции ошибок и обеспечения отказоустойчивости.
НМС станет промежуточным этапом на пути к внедрению более новых, энергонезависимых технологий, таких как магниторезистивная память (MRAM), резистивная память (RRAMI и память с изменением фазовых состояний (РСМ). В HP разрабатывают энергонезависимую память на мемристорах.
Дочернее предприятие Micron — компания Crucial — также выпускает память DDR3 и готовится начать производство DDR4.
Технология HMC, впервые анонсированная в 2011 году, обеспечит существенное повышение быстродействия и энергоэффективности памяти, потребность в чем назрела уже давно. Первые модули НМС появятся в серверах и суперкомпьютерных системах, сообщил Майк Блэк, директор Micron по технологической стратегии. В дальнейшем, по его словам, возможно появление НМС для ноутбуков.
«НМС прекрасно подойдет для любых систем, которым пропускной способности DDR не хватает,—заявил он. В первую очередь НМС позволит повысить быстродействие суперкомпьютеров, облачных вычислений и базданных с обработкой в памяти».
НМС обеспечивает в 15 раз более высокую пропускную способность, чем динамическая оперативная память DDR3, и потребляет при этом на 70% меньше электроэнергии. А в сравнении со стандартом DDR4, переход на который сейчас происходит, пропускная способность НМС в пять раз больше, а расход энергии намного меньше.
Чипы НМС размещаются в модулях кубической формы. Кристаллы соединены друг с другом через сквозные отверстия по методу through silicon VIA, который дает преимущества в быстродействии по сравнению с обычной DRAM.
Материнские платы будут поставляться с уже впаянными модулями НМС, размещаемыми рядом с центральным процессором или другими чипами, объяснил Блэк.
«Конструкция модулей DIMM для НМС не подходит»,— подчеркнул он.
Модули НМС емкостью по 4 Гбайт и 8 Гбайт уже поставляются производителям серверов и микросхем для тестирования. По словам Блэка, первые модули НМС будут использоваться в программируемых логических матрицах (FPGA); кроме того, в Intel готовят чипсеты с НМС и новой моделью ускорителя Xeon Phi под кодовым именем Knights Landing.
Память НМС, благодаря своему быстродействию предпочтительная для суперкомпьютерных применений, в таком чипсете тесно интегрируется с Knights Landing. Процессор также сопровождается работающей в режиме временного кэша более медленной памятью DDR4, которую можно использовать для выполнения обычного кода.
Память НМС, как и DDR, является энергозависимой. Но, по словам Блэка, у НМС больше механизмов коррекции ошибок и обеспечения отказоустойчивости.
НМС станет промежуточным этапом на пути к внедрению более новых, энергонезависимых технологий, таких как магниторезистивная память (MRAM), резистивная память (RRAMI и память с изменением фазовых состояний (РСМ). В HP разрабатывают энергонезависимую память на мемристорах.
Дочернее предприятие Micron — компания Crucial — также выпускает память DDR3 и готовится начать производство DDR4.
0 комментариев